УСЛУГИ ВО ВРЕМЯ САМОИЗОЛЯЦИИ
11 декабря 2006 в 19:02 461 0
Hi-Tech

Американские ученые создали сверхбыструю память

Группа американских ученых, в число которых вошли специалисты из IBM, Macronix и Qimonda, объявила о создании нового типа модулей памяти.

Благодаря этой разработке, получившей название PRAM (память с изменением фазы), продолжительность и скорость работы плееров, мобильных телефонов и цифровых камер существенно возрастет, сообщает AFP.

Как заявляют изобретатели, скорость работы созданных в IBM, Macronix и Qimonda модулей PRAM превосходит аналогичный показатель флэш-памяти (наиболее распространенный тип памяти, используемый при создании мобильников, плееров и т.п.) в 500 – 1000 раз. При этом по уровню энергопотребления PRAM существенно экономичнее флэш – новое изобретение потребляет в два раза меньше электроэнергии.

По сведениям издания Techworld, в продаже подобные модули памяти появятся не раньше 2008 года. Стоит отметить, что подобными разработками занимаются и другие компании, например - корейская Samsung, специалистам которой удалось создать прототип PRAM, работающий со скоростью, в 30 раз превышающей аналогичный показатель флэш-памяти.


Источник: www.lenta.ru
© ИА «Инфо-Сити»

Добавьте «ИнфоОрел» в ваши источники в Яндекс.Новостях

И читайте наши новости первыми


Авторизуйтесь, чтобы оставить комментарий.

Популярные новости

Англичанка

Отзывы о ресторанах18+


Вход
Регистрация
Отправляя заявку, вы соглашаетесь с условиями
политики конфиденциальности
Восстановление пароля

Пожаловаться