Юлия Воскобоева
24 апреля 2007 в 20:53 449 0
Hi-Tech

Samsung на пути к созданию ОЗУ нового поколения

Одним из важнейших технологических достижений в полупроводниковой отрасли за последний месяц стала разработка компанией IBM методики так называемой “трехмерной” упаковки чипов , о которой мы недавно писали.

Нечто подобное на днях анонсировала и компания Samsung Electronics.

Как сообщается в пресс-релизе, Samsung разработала метод упаковки чипов памяти, используя технологию TSV (through silicon vias, внутрикремниевые межсоединения). По заявлению компании, это позволит существенно ускорить память, уменьшить энергопотребление и габариты микросхем.

Новая упаковка называется WSP (wafer-level-processed stacked package). Она может вмещать четыре чипа DDR2 DRAM плотностью 512 Мбит (4 x 512 Мбит). Используя такие двухгигабитные структуры, Samsung может создать модули ОЗУ емкостью 4 Гб.

Инновационный технологический метод Samsung устраняет необходимость в относительно длинных металлических проводниках, которые соединяют между собой традиционные “двухмерные” чипы и их составные элементы, заменяя эти проводники внутрикремниевыми соединениями. Межсоединения TSV представляют собой вертикальные каналы диаметром порядка единиц микрон, протравленные в кремниевой пластине с помощью лазера и заполненные проводником - медью. Такие внутрикремниевые соединения позволяют располагать кристаллы плотнее и создавать более тонкие упаковки. Межсоединения “through-silicon vias” покрыты алюминием, который играет роль экрана, в результате чего снижаются перекрестные помехи.

Конкретные сроки внедрения новой разработки в массовое производство пока не называются.


Источник: www.compulenta.ru
© ИА «Инфо-Сити»

Добавьте «ИнфоОрел» в ваши источники в Яндекс.Новостях

И читайте наши новости первыми


Авторизуйтесь, чтобы оставить комментарий.

Популярные новости

Англичанка

Отзывы о ресторанах18+


Вход
Регистрация
Отправляя заявку, вы соглашаетесь с условиями
политики конфиденциальности
Восстановление пароля

Пожаловаться