FBM идет на смену DRAM

Причина проста — невозможно уменьшать размер ячейки памяти бесконечно. Наступает время, когда необходимо внести в нее принципиальные изменения.

Разработчики DRAM, подобно проектировщикам городов, освоили вертикальное направление развития: пропорции конденсаторов в ячейках DRAM с течением времени изменялись так, что они все больше напоминали многоэтажные дома. Сейчас, когда конденсаторы больше напоминают небоскребы, чем плоские конструкции, экономически эффективные пути дальнейшей миниатюризации неизвестны. Предполагается, что переход к нормам менее 40 нм совпадет с появлением нового типа памяти, который откроет возможности дальнейшего повышения плотности хранения.

Технология, которую называют вероятным преемником DRAM, известна под обозначением «память с плавающим телом» (FBM). Ключевой особенностью FBM является отсутствие конденсатора в ячейке памяти.

Как работает такая ячейка? В FBM состояние ячейки хранится непосредственно в области электрически изолированного «тела» транзистора. Для формирования таких транзисторов необходимо применение технологии SOI («кремний на изоляторе»), но в ближайшие годы, по мере перехода отрасли к производству объемных транзисторов, таких, как FinFET, многие, если не все техпроцессы будут стоиться на применении SOI-подложек.

Отсутствие конденсатора не только позволяет уменьшить размеры ячейки, но и снизить производственные затраты. Изготовление конденсаторов DRAM требует дополнительных шагов техпроцесса, которые составляют примерно 20% себестоимости изготовления пластины с чипами DRAM. Кроме того, наличие конденсаторов снижет процент выхода годных изделий.

Хотя окончательная судьба DRAM еще не решена, будущее FBM выглядит многообещающим, заключает источник.